最近有报道称，闪迪（Sandisk）将从4月1日起提高NAND闪存价格，覆盖企业和客户端产品，整体涨幅超过10%。随后传出三星和SK海力士下个月开始提高NAND闪存价格，国内最大NAND闪存制造商长江存储（YMTC）很可能跟随这种做法，下个月也将提高NAND闪存价格。有消息称，致态（ZHITAI）将在4月上调渠道采购价格，涨幅有可能超过10%。
据TrendForce报道，虽然早就传出美光将要涨价，不过具体情况一直不太清楚，最新消息指出，涨幅达到11%，似乎10%已经成为了各大NAND闪存制造商这一次涨价的基本线。传闻美光的涨价与今年1月其在新加坡的工厂停电有关，那里负责美光大部分NAND闪存的生产，从而导致供应紧张。
为了应对供应过剩，美光、三星、SK海力士、以及铠侠从2024年末开始纷纷选择了减产，以遏制NAND价格的下跌。尽管减产幅度不及以往，但是从目前情况来看，确实有助于稳定供需平衡。NAND闪存的价格更快地跌至谷底，比市场调查机构预期的第二季度可能还要早一些。
NAND闪存的供需平衡将在今年下半年显著改善，除了减产因素外，智能手机行业的库存减少及人工智能的应用驱动，都拉动了需求的增长。
“升温”？再涨价的话怕是要迎来新的寒冬吧？明明上次NAND寒冬才过去不到两年，果然人类从历史中学到的唯一教训就是人类无法从历史中学到任何教训。
美光这次涨价的理由也很清奇，年初时的停电事故导致了供应紧张，不过那个停电事故已经是1月份的事了，现在3月份终于反应过来涨价了？？不过美光至少愿意找个理由，算是比某些厂商好多了。
近日美光（Micron）和Astera Labs在DesignCon 2025上合作，展示了世界第一款PCIe 6.0 SSD，并与Astera Labs的Scorpio PCIe 6.0网络交换矩阵配对。展示的平台使用了两块美光的PCIe 6.0 SSD和一块H100计算卡，SSD的连续读取速度超过了27 GB/s，这是当今最快PCIe 5.0 SSD大概两倍的速度。美光在去年8月曾经进行了预热，宣称SSD的连续读取速度能达到26 GB/s。
在DesignCon 2025的展示中，美光和Astera Labs没有透露太多的信息，直到最近后者才在博客上分享了部分内容。这次实测的成绩超过了美光的预期，最后记录的连续读取速度达到了27.14 GB/s，作为对比，美光旗下英睿达T705 PCIe 5.0 SSD的最大连续读取速度为14.5 GB/s，后者已经达到了PCIe 5.0 x4连接的上限。
这次测试还要归功于Astera Labs的Scorpio P系列，这是业界首款PCIe 6.0网络交换机，最多能连接64个PCIe 6.0通道，旨在实现高性能计算（HPC）和人工智能（AI）集群中CPU、GPU和存储节点之间的快速通信，并配有英伟达的Magnum IO GPUDirect（GDS）软件。GDS为存储访问提供了一条直接路径，在存储设备通往显存之间指明了一条清晰的线路，而无需经过CPU缓冲区，避免增加延迟。
过去一段时间里，Astera Labs也在不断宣传旗下PCIe 6.0设备。去年GTC 2024上Astera Labs也做过展示，属于市面首批PCIe 6.0设备。
越来越贵的NAND倒是也带来了越来越快的产品，不久前美光展示了世界上第一款PCIe 6.0 SSD，达成了连续读取速度超过了27 GB/s的记录，这速度……说实话都赶上内存了，速度确实强的可怕。只是现在多层堆叠NAND的寿命能撑住这样跑多久？又能这样跑多久？PCie 6.0不管是民用化还是商用化都还有比较远的距离，希望NAND厂商在卖的越来越贵的同时，能给大家搞点真正耐用的东西，刷新上限的数字游戏是没有意义的！
韩媒 FNnews 昨日（3 月 12 日）发布博文，报道称英伟达高管于 3 月 10 日访问了三星电子位于天安的封装工厂，审计和测试第五代高带宽内存 HBM3E。
三星计划在今年第一季度末向主要客户供应 HBM3E 8 层产品，并力争在上半年完成 12 层产品的交付。为应对紧张的交付期限，三星甚至将研发下一代 HBM4 的部分人力投入到 HBM3E 项目中，此次访问被认为 HBM3E 供应进入最后冲刺阶段。
IT之家援引博文介绍，英伟达高管于 3 月 10 日访问三星天安工厂，重点审计 HBM3E 的封装工艺。这是继 2024 年 12 月第一次实地考察后的第二次访问，表明英伟达高度重视产品质量。
李在镕三星电子会长于 2023 年在忠南三星电子天安校区视察封装生产线的场景。图源：三星电子
三星在上月的财报电话会议中表示，计划在 2025 年第 1 季度末向“关键客户”供应 HBM3E（8 层）产品，并计划在今年上半年内交付 HBM3E 12 层芯片，以满足客户需求。
报道称三星为提升 HBM3E 的良率和稳定性，甚至将原本专注于下一代 HBM4 的研发团队调至 HBM3E 项目，此外，三星还在优化先进 DRAM 的良率，以确保交付顺利进行。
HBM3E 作为高带宽内存领域的关键产品，其供应情况将直接影响三星与 SK 海力士在 HBM 市场的竞争格局。三星原本将 HBM4 视为市场决胜点，但由于客户需求迅速转向 HBM3E 12 层产品，公司目前优先聚焦于 HBM3E 的质量测试和交付，此次英伟达的审计结果，将决定三星能否在激烈的市场竞争中占据有利位置。
三星的HBM3到底进没进NVIDIA的采购体系？如进……
三星这边一直对给NVIDIA供应HBM3内存耿耿于怀，但是现在NVIDIA都开始视察HBM3E的进程了，三星的HBM3还是只能出现在一些专供显卡上。
能否进入NVIDIA体系确实是三星的HBM内存能不能大卖的主要一环，不知道这次视察结果怎么样，能不能决定三星未来的HBM3E命运。
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